سی زیڈ سلیکون ویفر
سی زیڈ سلکان ویفرز عام طور پر سیمی کنڈکٹر انڈسٹری میں انٹیگریٹڈ سرکٹس، مائیکرو پروسیسرز اور دیگر الیکٹرانک آلات کی تیاری کے لیے ذیلی ذخیرے کے طور پر استعمال ہوتے ہیں۔ وہ ان کی اعلی پاکیزگی، کم خرابی کی کثافت، اور بہترین برقی خصوصیات کے لئے قابل قدر ہیں.
تصریح
تفصیل
CZ سلکان ویفر ایک قسم کا سلکان ویفر ہے جو Czochralski (CZ) طریقہ استعمال کرتے ہوئے تیار کیا جاتا ہے، جو سلیکون کے سنگل کرسٹل اگانے کا ایک مقبول طریقہ ہے۔ CZ طریقہ کار میں اعلیٰ پاکیزگی والے سلکان کو کروسیبل میں پگھلانا اور پھر کروسیبل اور سیڈ کرسٹل کو مخالف سمتوں میں گھماتے ہوئے آہستہ آہستہ پگھلنے سے بیج کے کرسٹل کو کھینچنا شامل ہے۔
جیسا کہ بیج کا کرسٹل پگھلنے سے باہر نکالا جاتا ہے، اس سے سیڈ کرسٹل کے ارد گرد ایک بیلناکار شکل میں سلیکون مضبوط ہو جاتا ہے۔ اس عمل کے نتیجے میں سلیکون کا ایک واحد کرسٹل ہوتا ہے جو نقائص سے پاک ہوتا ہے اور اس میں اعلیٰ درجے کی پاکیزگی ہوتی ہے۔
تفصیلات
| قطر | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" | 12" |
| گریڈ | اعظم | ||||||
| نمو کا طریقہ | سی زیڈ | ||||||
| واقفیت | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 > | ||||||
| قسم/ڈوپینٹ | P قسم/بورون، N قسم/Phos، N قسم/As، N قسم/Sb | ||||||
| موٹائی (μm) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 | 775 |
| موٹائی رواداری | معیاری ± 25μm، زیادہ سے زیادہ صلاحیتیں ± 5μm | ± 20μm | ± 20μm | ||||
| مزاحمتی صلاحیت | 0۔{1}} اوہم-سینٹی میٹر | ||||||
| سطح ختم | P/E , P/P, E/E, G/G | ||||||
| TTV (μm) | معیاری< 10 um, Maximum Capabilities <5 um | ||||||
| کمان/وارپ (؟m) | معیاری<40 um, Maximum Capabilities <20 um | <40μm | <40μm | ||||
ڈاؤن لوڈ، اتارنا ٹیگ: cz سلکان ویفر
انکوائری بھیجنے
شاید آپ یہ بھی پسند کریں
